« Новий транзистор долає барєр потужності 1 квт   |   Транзистор - Вікипедія »

Схеми Дарлінгтона і Шиклаї з додатковими транзисторами (потрібні для збільшення вхідного опору другого каскаду по змінному струму, і відповідно коефіцієнта передачі).

Те ж саме для схем Дарлінгтона і Шиклаї з польовими транзисторами на вході.

8.Широкополосный транзистор з високою швидкодією (із-за зменшення ефекту Міллера).

9.”Алмазный транзистор”.

Особливість цього транзістора-отсутствіє інверсії на колекторі.

Транзистори: загальна інформація - Про транзистор

Можливі варіанти його включення.

Схема із збільшеною удвічі здатністю навантаження.

10.Мощный складений транзистор.

11.Использование транзистора як регулюючий елемент або в ключовому режимі.

Включення навантаження в ланцюг колектора.

Включення навантаження в ланцюг емітера.

Джерело: hamlab.net

Pages: 1 2


Tags: , , , , , ,

Транзистори: загальна інформація


Схожі записи

  • Транзистор - Вікипедія (25.03.2009)
    ... Вся сучасна цифрова техніка побудована, в основному, на польових МОП (металл-оксид-напівпровідник) -транзисторах (МОПТ), як економічніших, в порівнянні з БТ, елементах. Іноді їх називають МДП (металл-диэлектрик-напівпровідник) - транзистори. Міжнародний термін - MOSFET (metal-oxide-semiconductor field effect transistor). Транзистори виготовляються в рамках інтегральної технології на одному кремнієвому кристалі (чіпі) і складають елементарну «цеглинку» для побудови мікросхем ...
  • Способи схемотехнік боротьби із замиканням в каскадах з IGBT транзисторах (16.03.2009)
    ... Велику гамму драйверів різного призначення поставляє фірма International Rectifier, зокрема: драйвер транзистора верхнього плеча IR2125 драйвер напівмоста IR211Х драйвер трифазного моста IR213Х драйвер трифазного моста на напругу 1200В! IR223Х Серед найбільш відомих можна також назвати ...
  • Основи на пальцях Електроніка для всіх (15.04.2009)
    ... У мікроконтролера логічний нуль це близько 0 вольт, а у СОМ порту нуль це мінус 12 вольт. Ось діод і відрізує цей мінус 12, утворюючи 0 вольт. А оскільки у діода в прямому напрямі провідність не ідеальна, то на його опір впаде приблизно 0.5-0.7 вольта, залишок, будучи поділеним резисторами надвоє, опиниться приблизно 5.5 вольт, що ...
  • Проблеми вибору ключових силових транзисторів для перетворювачів напруги з жорстким перемиканням (11.04.2009)
    ... Мал. 1 Загальноприйняте розмежування областей застосування польових транзисторів MOSFET і IGBT біполярних транзисторів Ще один важливий чинник, що впливає на вибір ключових приладів, пов'язаний із специфікою роботи даних перетворювачів на індуктивне навантаження і полягає в необхідності установки антипаралельних діодів, характеристики зворотного відновлення яких вносять значний внесок до динамічних втрат. За ...
  • Класифікація біполярних і польових транзисторів (21.03.2009)
    ... Третій елемент - цифра, що визначає основні функціональні можливості транзистора (допустиме значення розсіюваної потужності і граничну або максимальну робочу частоту). Для позначення найбільш характерних експлуатаційних ознак транзисторів застосовуються наступні цифри. Для транзисторів малої потужності (максимальна потужність, що розсіюється транзистором, не більше 0,3 Вт): 1 - з ...