« Новий транзистор долає барєр потужності 1 квт   |   Транзистор - Вікипедія »

Резистори в ланцюгах емітерів потрібні для рівномірного розподілу навантаження; рівень шумів зменшується пропорційно квадратному кореню з кількості паралельно включених транзисторів.

2.Защита від перевантаження по струму.

Недолік-зниження ККД із-за наявності датчика струму R.

Інший варіант-благодая введенню германієвого діода або діода Шоттки можна у декілька разів зменшити номінал резистора R,и на нім розсіватиметься менша потужність.

3.Составной транзистор з високим вихідним опором.

Із-за каськодного включення транзисторів значно зменшений ефект Міллера.

Продукция линии l.o.c.

Інша схема - за рахунок повної розв′язки другого транзистора від входу і живленню стоку першого транзистора напругою, пропорційною вхідному, складений транзистор має ще вищі динамічні характеристики (єдина умова - другий транзистор повинен мати вищу напругу відсічення). Вхідний транзистор можна замінити на біполярний.

4.Защита транзистора від глибокого насичення.

Запобігання прямому зсуву переходу база-колектор за допомогою діода Шоттки.

складніший варіант - схема Бейкера. При досягненні напругою на колекторі транзистора напруги бази “зайвий″ базовий струм скидається через колекторний перехід, запобігаючи насиченню.

5.Схема обмеження насичення щодо низьковольтних ключів .

З датчиком струму бази.

З датчиком струму колектора.

6.Уменьшение часу включення/виключення транзистора шляхом застосування форсуючого RC ланцюжка.

7.Составной транзистор.

Схема дарлінгтона.

Схема Шиклаї.

Pages: 1 2


Tags: , , , , , ,

Транзистори: загальна інформація


Схожі записи

  • Класифікація біполярних і польових транзисторів (21.03.2009)
    ... Для позначення підкласів використовується одна з двох букв: Т - для біполярних і П - для польових транзисторів. Третій елемент - цифра, що визначає основні функціональні можливості транзистора (допустиме значення розсіюваної потужності і граничну або максимальну робочу частоту). Для позначення найбільш характерних експлуатаційних ознак транзисторів застосовуються наступні цифри. ...
  • Транзистори мікросхеми мініатюризація (16.04.2009)
    ... Перше - розробка архітектури, що включає вибір тих або інших функцій і особливостей майбутніх схем, мікросхемотехніку і компоновку на кристалі функціональних блоків і їх елементів, які утілюють вибрані функції. А також - оптимізація готових блоків з метою усунення вузьких місць, підвищення продуктивності і надійності роботи майбутніх схем, спрощення і здешевлення їх масового виробництва. Ці роботи можна ...
  • Біполярний могутній транзистор (01.04.2009)
    ... Оскільки вітчизняні скорочення використовуються достатньо рідко, а більшість технічних описів приладів англомовні, то для спрощення викладу в статті прийняті зарубіжні позначення для IGBT і MOSFET і вітчизняне БМТ для біполярних приладів. З ІСТОРІЇ РОЗВИТКУ ТРАНЗИСТОРНИХ КЛЮЧІВ Біполярний транзистор, винайдений в 1948 році американськими фізиками Дж.Бардиным, У.Браттейном і ...
  • Електронні компоненти ЗАО ЕПЛ могутні біполярні транзистори Дарлінгтона (07.04.2009)
    ... Відмітними особливостями серії транзисторів Дарлінгтона КТД8278 (зарубіжний аналог SGSD93ST ) є: поєднання низької напруги насичення Uкэо_нас1000 на початковій стадії характеристики h21Э=f(IК) (h21Э>1000 при струмі колектора IК=200мА). Транзистори мають внутрішній діод в ланцюзі колектор - емітер, резистори R1, R2 в ланцюгах база - емітер. Покращувані ...
  • Транзистор - Вікипедія (25.03.2009)
    ... В даний час в аналоговій техніці домінують біполярні транзистори (БТ) (міжнародний термін - BJT, bipolar junction transistor). Іншою найважливішою галуззю електроніки є цифрова техніка (логіка, пам'ять, процесори, комп'ютери, цифровий зв'язок і т. п.), де, навпаки, біполярні транзистори майже повністю витиснені польовими. Вся сучасна цифрова техніка побудована, в основному, на польових ...