« Азбука транзисторної схемотехніки   |   Про транзистор »

Лінійка RF-продуктів Freescale традиційно охоплює найширший спектр застосувань. В кінці 2007 року вона поповнилася новими представниками - могутніми транзисторами для промислових, наукових і медичних застосувань, створеними по LDMOS-технології. Ці пристрої встановлюють нові стандарти для RF-компонентів і дозволяють значно зменшити ціну готового підсилювача потужності.

Нові транзистори володіють характеристиками (коефіцієнт посилення, ККД, тепловий опір і т.д.), в сукупності що перевершують характеристики як біполярних транзисторів, так і MOSFET.

Цільовим ринком для цих пристроїв є сегмент промислових, наукових і медичних додатків (ISM): системи магнітно-резістівной томографії (MRI) з надвисоким дозволом, мовне устаткування з високою потужністю, метеорадари, промислові лазери, плазмові генератори і т.д.

Транзистори: загальна інформація - Новий транзистор долає барєр потужності 1 квт

Нові пристрої засновані на шостому поколінні високовольтної LDMOS-технології (VHV6 50V LDMOS). Ця технологія є першою технологією подібного ряду, представленою спеціально для ринку мовних, промислових, наукових і медичних застосувань.
До ВЧ-СИЛОВИМ транзисторам в мовних і промислових пристроях пред’являються дуже строгі вимоги для забезпечення необхідної ефективності і надійності роботи готових пристроїв. Пристрої на базі VHV6 50V LDMOS-технології відрізняються високим значенням коефіцієнта посилення і ККД.
У поєднанні з новим дизайном корпусу і теплоотвода ця технологія дозволяє за рахунок збільшення питомої потужності, що доводиться на кожен транзистор, значно зменшити кількість необхідних допоміжних компонентів. Це, у свою чергу, зменшує займану площу на друкарській платі і загальну вартість готового пристрою в порівнянні з традиційно вживаними рішеннями (див. мал. 1).

Транзистори: загальна інформація - Новий транзистор долає барєр потужності 1 квт

Мал. 1. Зменшення кількості компонентів підсилювача при використанні рішень

Pages: 1 2 3


Tags: , , , , , ,

Транзистори: загальна інформація


Схожі записи

  • Повернення до біполярних транзисторів (02.04.2009)
    ... Проте біполярні транзистори вимагають товщої основи, ніж це необхідно для транзисторів КМОП, через що їх вельми незручно встановлювати на пластини SOI. По словах Шахиді, зараз фахівці IBM розробляють методи монтажу біполярних транзисторів на тонких пластинах SOI в дослідницьких лабораторіях. У компанії планують реалізувати дану технологію в комерційних продуктах протягом найближчих п'яти років. ...
  • Польові транзистори з переходом що управляє (26.02.2009)
    ... Шоклі. Головним достоїнством цих транзисторів є високий вхідний опір (як у ламп і навіть більше). Принцип пристрою і схема включення польового транзистора зображені на мал. 1. Мал. 1 - Польовий транзистор з p-n-переходом і каналом n-типу Пластинка з напівпровідника (у нашому випадку ...
  • Використання ШИМ Підключення польових транзисторів (02.03.2009)
    ... Судячи по діаграмі, шпаруватість найбільш велика в середині діаграми. Значить, на цій ділянці на навантаженні виділялася найменша кількість енергії в одиницю часу. Сподіваюся, з цим все зрозуміло. Але виникає питання: а чим же така хороша ШИМ? Чом би не використовувати для регулювання потужності пристрій, здатний міняти опір (змінний резистор або транзистор)? Розглянемо дві, здавалося б, ...
  • Призначення буквених позначень параметрів транзисторів використовуваних в таблицях (18.03.2009)
    ... - струм витоку затвора; Рк max - максимально допустима постійна розсіювана потужність колектора без теплоотвода; Рк т max - максимально допустима постійна розсіювана потужність колектора з теплоотводом; Рси mаx - максимально допустима постійна розсіювана потужність стік - ...
  • Проблеми вибору ключових силових транзисторів для перетворювачів напруги з жорстким перемиканням (11.04.2009)
    ... Мал. 1 ілюструє загальноприйняте розмежування областей застосування MOSFET і IGBT силових транзисторів в жорсткому режимі перемикання виходячи з досяжних для комерційного використання їх основних електричних характеристик. При напрузі живлення до 250 В і на частотах перемикання понад 100 кгц домінуючу роль грають MOSFET польові транзистори, на частотах до 30 кгц і напрузі 300-1200 В перевагу віддається ...