« Повернення до біполярних транзисторів   |   Розрахунок транзистора при роботі на індуктивне навантаження »


Необхідне також особливо відзначити тепле відношення співробітників відділу маркетингу московського представництва штаб-квартири фірми Ерікссон до майбутніх клієнтів, яким надається обширна технічна інформація, причому вони можуть отримати декілька безкоштовних зразків транзисторів для попередніх експериментів.
У каталозі фірми Ерікссон, так само як і для вітчизняних приладів, вказані основні електричні параметри і характеристики транзисторів, що випускаються, а також їх гранично допустимі параметри. Вельми корисну інформацію дають діаграми Сміта, що приводяться по ряду транзисторів, по вхідному і вихідному опору.
Для більшості могутніх транзисторів в каталозі фірми вказані також топологія і зовнішній вигляд тест-плати, призначеною для вимірювання основних параметрів. Подібна інформація украй корисна, значно полегшує розробку апаратури і дозволяє повністю або частково використовувати фрагменти топологічних рішень вузлів.
Крім того, в каталозі приводяться блок-схеми трьох- і чотирьохкаскадних широкосмугових підсилювачів для забезпечення в навантаженні корисної потужності 45, 70, 100 і 120 Вт з вказівками по вживаних транзисторах.

Джерело: electronics.ru

Pages: 1 2 3 4


Tags: , , , , , ,

Транзистори: біполярні транзистори


Схожі записи

  • Підсилювач потужності з польовим транзистором як джерело струму (09.03.2009)
    ... Принципова схема підсилювача приведена на рис.1. Він містить диференціальний вхідний каскад (VT2, VT4), підсилювачі струму (VT3) і напруги {VT6), .выходной каскад (VT9-VT12) і пристрій захисту від перевантажень (VT7, VT8). Як вже мовилося, джерело струму на транзисторі VT1, включений в емітерні ланцюги транзисторів VT2, VT4, дозволяє, не збільшуючи температурну нестабільність, підвищити коефіцієнт передачі по ...
  • Надмініатюрні польові транзистори корпорації INTEL для Pentiumов (03.03.2009)
    ... Звичайні польові транзистори і їх схемотехніка достатньо детально описані в [1, 2]. Структура інтегрального польового транзистора представлена на мал. 2. В напівпровідниковій пластині з чистісінького кремнію створюються області витоку і стоку з підвищеною концентрацією донорной домішки. З витоку витікають і втікають в стік носії електричного заряду, створюючи струм стоку. Між ними утворюється ...
  • Класифікація біполярних і польових транзисторів (21.03.2009)
    ... Для транзисторів малої потужності (максимальна потужність, що розсіюється транзистором, не більше 0,3 Вт): 1 - з граничною частотою коефіцієнта передачі струму або максимальною робочою частотою (далі граничною частотою) не більше 3 Мгц; 2 - з граничною частотою більше 3, але не більше 30 Мгц; 3 - ...
  • Проблеми вибору ключових силових транзисторів для перетворювачів напруги з жорстким перемиканням (11.04.2009)
    ... Мал. 1 Загальноприйняте розмежування областей застосування польових транзисторів MOSFET і IGBT біполярних транзисторів Ще один важливий чинник, що впливає на вибір ключових приладів, пов'язаний із специфікою роботи даних перетворювачів на індуктивне навантаження і полягає в необхідності установки антипаралельних діодів, характеристики зворотного відновлення яких вносять значний внесок до динамічних втрат. За ...
  • Транзистор - Вікипедія (25.03.2009)
    ... ). В даний час в аналоговій техніці домінують біполярні транзистори (БТ) (міжнародний термін - BJT, bipolar junction transistor). Іншою найважливішою галуззю електроніки є цифрова техніка (логіка, пам'ять, процесори, комп'ютери, цифровий зв'язок і т. п.), де, навпаки, біполярні транзистори майже повністю витиснені польовими. Вся сучасна цифрова техніка побудована, в основному, на польових ...