Перший елемент позначає початковий напівпровідниковий матеріал, на основі якого виготовлений транзистор. Для позначення початкового матеріалу використовуються наступні символи:
Г або 1 - для германію або його з’єднань;
До або 2 - для кремнію або його з’єднань;
А або 3 - для з’єднань галію (практично дляарсенідагаллія, використовуваного для створення польових транзисторів);
І або 4 - для з’єднань індія (ці з’єднання для виробництва транзисторів як початковий матеріал поки не застосовуються).
Другий елемент позначення - буква, що визначає підклас (або групу) транзисторів. Для позначення підкласів використовується одна з двох букв: Т - для біполярних і П - для польових транзисторів.
Третій елемент - цифра, що визначає основні функціональні можливості транзистора (допустиме значення розсіюваної потужності і граничну або максимальну робочу частоту).
Для позначення найбільш характерних експлуатаційних ознак транзисторів застосовуються наступні цифри.
Для транзисторів малої потужності …

позначення →

Схожі записи