« Проблеми вибору ключових силових транзисторів для перетворювачів напруги з жорстким перемиканням   |   Могутні низьковольтні СВЧ транзистори для рухомих засобів звязку »

Оцінюючи масштаби використання МОП-ТЕХНОЛОГИЙ в сучасній електронній техніці, зараз важко уявити, наскільки драматична була історія їх становлення, адже навіть через 30 років після виходу в кінці 1920-х років перших теоретичних робіт фізика Джуліуса Лілінфельда польовий транзистор можна було спостерігати тільки як лабораторний курйоз.
Саме так, в порядку лабораторного курйозу, з’явився перший МОП-ТРАНЗІСТОР з металевим затвором дослідника з Bell Labs доктора Джона Аталла. Проте якщо на розробку практично придатних малопотужних МОП-ТРАНЗІСТОРОВ знадобиться лише декілька років, то до появи перших могутніх МОП-ТРАНЗІСТОРОВ пройде ще 16 років.
Перші в світі могутні МОП-ТРАНЗІСТОРИ, виконані за технологією MOSPOWER®, представила компанія Siliconix в 1976 році, а трохи пізніше, в 1979 році, компанія International Rectifier запропонувала альтернативну МОП-СТРУКТУРУ для побудови могутніх транзисторів, яка отримала назву HEXFET®.
Так трапилося, що саме ці дві легендарні компанії зумовили розвиток могутніх МОП-ТРАНЗІСТОРОВ в подальші десятиліття і саме вони зараз тісно пов′язані з іншою не менш відомою компанією Vishay.
У 2005 році було завершено повне приєднання Siliconix до Vishay, почате ще в 1998 році, а в 2007 році Vishay придбала виробничу лінію силових напівпровідників International Rectifier, в яку увійшли і популярні HEXFET-транзистори. МОП-ТРАНЗІСТОРИ Vishay з виробничої лінії IR представлені на малюнку 1.

Потужні транзистори - Спадщина IR могутні МОП-ТРАНЗІСТОРИ HEXFET

Мал. 1. Корпуси МОП-ТРАНЗІСТОРОВ Vishay з виробничої лінії International Rectifier

Структура HEXFET подразумеваєт організацію в одному кристалі тисяч паралельно-включених МОП-ТРАНЗІСТОРНИХ осередків, створюючих шестикутник. Таке рішення дозволило істотно понизити опір відкритого каналу RDS(on) і зробило можливою комутацію великих струмів. З погляду класифікації польових транзисторів HEXFET відносяться до польових транзисторів з індукованим каналом, тобто

Pages: 1 2 3 4 5 6 7


Tags: , , , , , ,

Потужні транзистори


Схожі записи

  • Використання ШИМ Підключення польових транзисторів (02.03.2009)
    ... Енергію, що виділяється, можна рахувати пропорційній площі цієї області. Відношення періоду повторення імпульсів (T) до їх тривалості (AC) називається шпаруватістю . Величина, зворотна шпаруватості, називається коефіцієнтом заповнення . Судячи по діаграмі, шпаруватість найбільш велика в середині діаграми. Значить, на цій ділянці на навантаженні виділялася найменша кількість енергії в одиницю ...
  • Повернення до біполярних транзисторів (02.04.2009)
    ... У компанії планують реалізувати дану технологію в комерційних продуктах протягом найближчих п'яти років. В IBM розробили метод розміщення біполярних транзисторів на SOI-пластинах, виконаних із застосуванням кремній-германієвой технології (SiGe). Якщо на пластину подається низька або нульова напруга маршрут руху електронів від емітера до колектора має велику протяжність (рожева стрілка). При подачі ...
  • Транзистори - Схеми включення біполярних транзисторів (05.04.2009)
    ... Треба пам'ятати, що під входом (виходом) розуміють крапки, між якими діє вхідна (вихідне) змінна напруга. Основні схеми включення називаються схемами із загальним емітером (ОЕ), загальною базою (О) і загальним колектором (ОК). Схема із загальним емітером (ОЕ). Така схема зображена на малюнку 1. У всіх книжках написано, що ця схема ...
  • Прості схеми на польових транзисторах (06.03.2009)
    ... Деякі приклади такого використання польових транзисторів наводяться в статті. Адаптер для спареної телефонної лінії Абоненти спарених телефонних ліній при підключенні до цих ліній автовідповідачів часто стикаються з такою проблемою: автовідповідач не реагує на викличний сигнал, не хоче включатися і відповідати на дзвінок. Причина криється в принципі розділення спарених абонентських ліній ...
  • Біполярний могутній транзистор (01.04.2009)
    ... Оскільки вітчизняні скорочення використовуються достатньо рідко, а більшість технічних описів приладів англомовні, то для спрощення викладу в статті прийняті зарубіжні позначення для IGBT і MOSFET і вітчизняне БМТ для біполярних приладів. З ІСТОРІЇ РОЗВИТКУ ТРАНЗИСТОРНИХ КЛЮЧІВ Біполярний транзистор, винайдений в 1948 році американськими фізиками Дж.Бардиным, У.Браттейном і ...