Вхідний опір - більше 100 ком. Найбільша вихідна напруга досягає 70 В (ефф.). Амплітудна характеристика підсилювача лінійна при зміні напруги сигналу на вході від 0 до 0,6 В. При напрузі живлення 600 В підсилювач споживає струм близько 2 ма. Його дуже зручно використовувати спільно з описаними вище генераторами розгортки в осцилографі.

мал. 4

Транзистори в режимі лавинного пробою працюють краще всього в схемах генераторів релаксацій. Проте за певних умов генератор на лавинному транзисторі може виробляти синусоїдальні коливання. Генератор по схемі мал. 5 генерує напругу синусоїдальної форми з частотою близько 4 кгц і амплітудою більше 110 В.
При напрузі живлення 600 В споживання струму складає близько 2 ма.

мал. 5

Як котушка індуктивності використовується регулятор розміру рядків РЛС-70. Як форма, так і величина вихідної напруги генератора в сильному ступені залежать від місткості конденсатора С1. Для зміни частоти коливань необхідно підбирати спочатку місткість конденсатора С2, а потім С1.

Джерело: kazus.ru

Pages: 1 2 3 4 5

Потужні транзистори

• Проблеми вибору ключових силових транзисторів для перетворювачів напруги з жорстким перемиканням
• Могутні низьковольтні СВЧ транзистори для рухомих засобів звязку
• Генератор звукових ефектів на одноперехідних транзисторах
• Азбука транзисторної схемотехніки
• Способи схемотехнік боротьби із замиканням в каскадах з IGBT транзисторах
• Силові біполярні транзистори з ізольованим затвором IGBT
• Незвичайний режим роботи польового транзистора
• Основи на пальцях Електроніка для всіх
• Спадщина IR могутні МОП-ТРАНЗІСТОРИ HEXFET
• Складений транзистор - Вікипедія

Схожі записи

• Нові IGBT біполярні транзистори компанії Fuji Electric Device Technolo (12.03.2009)
  
  
  ... Проте біполярні модулі IGBT і польові транзистори не могли повністю задовольнити вимоги силових перетворювачів. Наприклад, могутні біполярні транзисторні модулі IGBT могли витримувати високу напругу і управляти великими струмами, але швидкість перемикання була дуже мала. І навпаки, могутні польові транзистори, що володіють хорошими частотними властивостями, по електричних параметрах сильно поступалися біполярним транзисторам. Тому були розроблені біполярні транзистори ...
• Призначення буквених позначень параметрів транзисторів використовуваних в таблицях (18.03.2009)
  - час спаду для біполярного (польового) транзистора; tк - постійна часу ланцюга зворотного зв'язку на високій частоті біпопярного транзистора; Джерело: radio-hobby.org
• МОП-ТРАНЗІСТОРИ (04.03.2009)
  ... Переваги транзисторів в порівнянні з електронними лампами - ті ж, як і у напівпровідникових діодів - відсутність розжареного катода, споживаючого значну потужність і вимагаючого часу для його розігрівання. Крім того транзистори самі по собі у багато разів менше по масі і розмірам, чим електричні лампи, і транзистори здатні працювати при нижчій напрузі і вищих ...
• IGBT - Вікипедія (10.03.2009)
  
  
  ... У діапазоні струмів до десятків А і напруги до 500 В доцільно застосування звичайних МДП-транзисторів, а не IGBT. Застосування Принципова схема IGBT. Даний інвертор можна зустріти, наприклад в сучасних моделях тролейбусів з 1 тяговим приводом Основне застосування IGBT-транзисторів це інвертори, імпульсні регулятори струму, частотно-регульовані приводи. ...
• Одноперехідні транзистори (29.03.2009)
  
  
  ... Принцип дії однопероходного транзистора зручно розглянути, користуючись простою еквівалентною схемою (мал. 1, в), де RБ1 і RБ2 - опору між відповідними висновками бази і емітером, а Д1- емітерний р-п перехід. Струм, що протікає через опори RБ1 і RБ2, створює на першому з них падіння напруги, що зміщує діод Д1 у зворотному напрямі. Якщо ...