« Спадщина IR могутні МОП-ТРАНЗІСТОРИ HEXFET   |   Про принцип роботи транзистора » .

Розроблені мініатюрні СВЧ транзистори можуть знайти найширше застосування як при традиційному використанні у вигляді дискретних компонентів, так і у складі гібридних мікросхемних підсилювачів ВЧ потужності. Очевидно, що найбільш ефективне їх застосування в ношених портативних радіостанціях.

Джерело: chipinfo.ru

Pages: 1 2 3 4 5


Tags: , , , , , ,

Потужні транзистори


Схожі записи

  • Лампи і транзистори теорія і факти (19.03.2009)
    ... Але головна відмінність була в тому, що перші зразки транзисторів були вельми нездійснені, тоді як лампові підсилювачі забезпечували досить високі параметри, які на транзисторах отримати було неможливо. Час йшов, транзистори модернізувалися, поліпшувалася схемотехніка напівпровідникових підсилювачів і вони, нарешті, "наздогнали" лампові. Ці підсилювачі забезпечували прекрасну і гладку АЧХ, мали низький рівень ...
  • IGBT - Вікипедія (10.03.2009)
    ... IGBT поєднує достоїнства двох основних видів транзисторів: високий вхідний опір, низький рівень потужності, що управляє, - від транзисторів з ізольованим затвором низьке значення залишкової напруги у включеному стані - від біполярних транзисторів. Діапазон використання - від десятків А до 1200 А по струму, від сотень ...
  • Розрахунок транзистора при роботі на індуктивне навантаження (04.04.2009)
    ... Виберемо і розрахуємо для нього транзистор. Допущення 1: трансформатор ідеально розрахований, не перемагнічується, і за зворотний такт повністю віддає свою енергію в навантаження. В цьому випадку форма струму через транзистор в такті включення матиме форму ідеальної пили. Шпаруватість на максимальній потужності ...
  • Призначення буквених позначень параметрів транзисторів використовуваних в таблицях (18.03.2009)
    - час спаду для біполярного (польового) транзистора; tк - постійна часу ланцюга зворотного зв'язку на високій частоті біпопярного транзистора; Джерело: radio-hobby.org
  • Біполярний могутній транзистор (01.04.2009)
    ... Оскільки вітчизняні скорочення використовуються достатньо рідко, а більшість технічних описів приладів англомовні, то для спрощення викладу в статті прийняті зарубіжні позначення для IGBT і MOSFET і вітчизняне БМТ для біполярних приладів. З ІСТОРІЇ РОЗВИТКУ ТРАНЗИСТОРНИХ КЛЮЧІВ Біполярний транзистор, винайдений в 1948 році американськими фізиками Дж.Бардиным, У.Браттейном і ...