|   Польові транзистори з переходом що управляє »

Незабаром в широкий продаж поступили десятки мікропроцесорів фірм, що змагалися. Цьому сприяло повернення до технології, яка якийсь час залишалася в тіні. На початку 70-х років почали широко застосовуватися МОП-ТРАНЗІСТОРИ (транзистори із структурою метал оксид - напівпровідник).
У цьому приладі, винайденому десятиліттям раніше, як затвор - еквівалент бази біполярного транзистора - використовувався дуже тонкий шар металу (пізніше заміненого полікремнієм). Прикладаючи до затвора напругу, можна перемикати транзистор з провідного стану в непровідне і навпаки.
Технологія польових (або МОП) транзисторів дозволила збільшити кількість компонентів ІС і значно понизити їх вартість. (До кінця 70-х років ціна деяких мікросхем складала менше 5 дол. за штуку.) Такі транзистори були не тільки менше за розмірами і дешевше біполярних, але і споживали менше електроенергії.
А це означає, що вони виділяли менше тепла; у минулих конструкціях саме значне виділення тепла стримувало подальше збільшення щільності інтеграції. Схеми, що мали до 15 шарів; тепер вдавалося розмістити в кристалі завтовшки в тисячну частку сантиметра.

До 1981 р., опісля лише десятиліття після винаходу Едварда Хоффа, фірма Hewlett-Packard (Хьюлетт-пакард) вже змогла випустити мікропроцесор, що перевершує по потужності центральні процесори багатьох великих ЕОМ того часу. Його швидкодія - а він перемножував два 32-бітові числа за дві мільйонні частки секунди - досягалося за рахунок роботи 450 тис.
МОП-ТРАНЗІСТОРОВ, які з’єднувалися один з одним 16 м якнайтонших провідників з напиленого металу. Вся структура поміщалася на кремнієвому кристалі площею порядку одного квадратного сантиметра і займала менше місця, чим один транзистор часів, передуючих винаходу інтегральних схем.

Pages: 1 2 3


Tags: , , , , , ,

Польові транзистори


Схожі записи

  • Про транзистор (24.03.2009)
    ... Составной транзистор з високим вихідним опором. Із-за каськодного включення транзисторів значно зменшений ефект Міллера. Інша схема - за рахунок повної розв'язки другого транзистора від входу і живленню стоку першого транзистора напругою, пропорційною вхідному, складений транзистор має ще вищі динамічні характеристики (єдина умова - другий транзистор повинен ...
  • Підхід до вирішення проблем розробки планарних структур високовольтних біополярних транзисторів (11.03.2009)
    ... Безперечно, в даний час біполярні транзистори IGBT є найбільш довершеними ключовими напівпровідниковими приладами, що серійно випускаються. Тому відсутність в Росії виробництва подібних комбінованих ключів створює щонайгострішу проблему в плані конкурентоспроможності вітчизняних виробів не тільки власне силової електроніки, але і багатьох інших найважливіших галузей народного господарства, зразків озброєння і військової техніки. Залежність вітчизняної економіки від імпорту ...
  • Нові IGBT біполярні транзистори компанії Fuji Electric Device Technolo (12.03.2009)
    ... IGBT - це комутаційні прилади такі ж високочастотні, як і польові транзистори, з одного боку, і такі ж могутні (великий струм і напруга), як біполярні транзистори, з іншого боку. Компанія Fuji Electric Device Technology (FDT) почала виробництво і просування на ринок біполярних транзисторів з ізольованим затвором в 1988 році. На ...
  • Транзистори - Схеми включення біполярних транзисторів (05.04.2009)
    ... Така схема зображена на малюнку 1. У всіх книжках написано, що ця схема є найбільш распространненой, оскільки дає найбільше посилення по потужності. Мал. 1 - Схема включення транзистора із загальним емітером Услітельниє властивості транзистора характеризує один з головних його параметрів - статичний коефіцієнт передачі струму бази ...
  • Силові біполярні транзистори з ізольованим затвором IGBT (14.03.2009)
    ... I покоління IGBT (1985 р.): гранична комутована напруга 1000 В і струми 200 А в модульному і 25 А в дискретного виконання, прямі падіння напруги у відкритому стані 3,0-3,5 В, частоти комутації до 5 кгц (час включення/виключення близько 1 мкс). ...