« Прості схеми на польових транзисторах   |   Польові транзистори в практиці радіоаматорів що починають »

В статті розглядається черговий етап спільної роботи фахівців НИЦЬ СПП ВЕІ і кафедри ПЕ МЕІ по розробці нових силових транзисторів, зібраних по каськодной схемі і керованих по затвору МОП структурою.

За минулі роки вдалося створити декілька поколінь подібних силових транзисторів, в яких основним токонесущим високовольтним елементом є прилад з польовим управлінням, що працює в провідному стані як p-i-n діод. Прилади першого покоління демонстрували цілий ряд переваг перед існуючими аналогами, особливо при високій щільності струму у включеному стані.
Проте існували цілий ряд проблем, який поступово долався у міру вдосконалення технології збірки нових силових транзисторів.
Одним з таких завдань стала розробка методів регулювання часу життя неосновних носіїв, що кінець кінцем дозволило створити прилад другого покоління з покращуваними за рахунок оптимізації форми і тривалості залишкового струму частотними властивостями.

Каськодний силовий транзистор (мал. 1), структура якого детально обговорювалася в попередній публікації [1], в макетного виконання є силовою гібридною схемою, виконаною на кристалах унітрона і два МОП польових транзисторів. Всі елементи даного ключа напаяли на загальну ізолюючу підкладку, виконану з алюмооксидной кераміки, металізованою міддю.
З’єднання елементів виконані ультразвуковою зваркою за допомогою алюмінієвого дроту, приєднаного до контактних майданчиків відповідних елементів. Подібна схема розміщується в стандартних транзисторних корпусах типу ТЕ для дискретних приладів або в їх конструктивних аналогах - малопотужних і малогабаритних модулях.
Використовувалися два типи кристалів унітрона по класу напруги стік/витік 600 і 1200 В. Як низьковольтні керівники МОП польових транзисторів застосовувалися n-канальні кристали з опором стік/витік у відкритому стані не більше 4,5 мом. Максимально допустимий постійний струм стоку для приладів на 600 В дорівнював 20 А, а для приладів на 1200 В - 50 А.

Pages: 1 2 3 4 5


Tags: , , , , , ,

Польові транзистори


Схожі записи

  • Про внесок радянських і російських учених в розробку напівпровідникових транзисторів (28.03.2009)
    ... Початком вітчизняних розробок в цьому напрямі можна рахувати праці фізика А. Г. Столетова у сфері фотоефекту і А. С. Попова по створенню пристроїв, що радіопередають, ще в кінці XIX в. Розвиток електроніки за радянських часів стимулювався бурхливим прогресом радіотехніки в двадцяті роки, чималу роль в якому грали розробки надпотужних (для того часу) радіоламп, лампових трігерів ...
  • Класифікація біполярних і польових транзисторів (21.03.2009)
    ... Третій елемент - цифра, що визначає основні функціональні можливості транзистора (допустиме значення розсіюваної потужності і граничну або максимальну робочу частоту). Для позначення найбільш характерних експлуатаційних ознак транзисторів застосовуються наступні цифри. Для транзисторів малої потужності (максимальна потужність, що розсіюється транзистором, не більше 0,3 Вт): 1 - з ...
  • Про принцип роботи транзистора (14.04.2009)
    ... На двох переходах, емітер-база і база-колектор, відбуваються складні, характерні для напівпровідників процеси обміну електронами і дірками. В результаті цих процесів по кожну сторону від переходу утворюються так звані зони збіднення (носіями заряду). Коли транзистор знаходиться в нейтральному стані, зона збіднення дуже широка, щоб через перехід емітер-колектор міг протікати струм. Проте якщо на n-шари подати ...
  • Лукава транзисторна історія (27.03.2009)
    ... І по все тій же іронії історії 75-річний ювілей цього винаходу, що виконується цього року, навряд чи буде відмічений навіть самими дійшлими істориками науки. роках минулого століття не знайшлося необхідного матеріалу, на основі якого можна було б виготовити працюючий польовий транзистор. І людині довелося винайти набагато складніший біполярний транзистор, щоб обійти труднощі, ...
  • Призначення буквених позначень параметрів транзисторів використовуваних в таблицях (18.03.2009)
    - час розсмоктування для біполярного транзистора (для транзисторів КТ601- КТ997 цей параметр вказаний в круглих дужках в передостанній колонці); tcп. - час спаду для біполярного (польового) транзистора; tк - постійна часу ланцюга зворотного зв'язку на високій частоті біпопярного транзистора; Джерело: radio-hobby.org