« Як перевірити польовий транзистор   |   Використання ШИМ Підключення польових транзисторів »

Третє сімейство IGBT-транзисторів - це транзистори з високою швидкістю перемикання. Вони ідентифікуються по суфіксу “H” в найменуванні, наприклад STGD7NB60H. Ці вироби застосовуються на частотах до 120 кгц і ідеальні для DC/DC-конверторов в прямоходових, обратноходових, напівмостових і мостових топологиях схем джерел живлення і коректорів потужності.

Основні технічні дані MOSFET-транзисторів провідних виробників

серед низьковольтних польових транзисторів чудовими характеристиками, окрім STMicroelectronics і Toshiba, володіють також транзистори фірми Vishay, (як, наприклад, унікальні польові транзистори SUP75P05-08, SUP85N06-05, SUP85N10-10), але декілька великі терміни постачання і ціни зводять нанівець переваги в технічних характеристиках транзисторів, тоді як невисокі ціни і доступність транзисторів STM підвищують до них інтерес.
В області високовольтних польових транзисторів чудовими технічними характеристиками виділяється 600-В сімейство COOLMOS фірми Infineon Technologies. Вони володіють дуже малим RDS ON і по статичних характеристиках порівнянні з IGBT-транзисторами, а по динамічних характеристиках значно перевершують їх, проте мають декілька великі терміни постачання, чим у інших виробників.

На закінчення хочеться сказати, що фірми “Макро Тім”, і «БІС-ЕЛЕКТРОНИК» здійснюють постачання польових транзисторів таких фірм-виробників, як STMicroelectronics, Infineon Technologies, Vishay, Toshiba, Hitachi, Philips, ON Semiconductor, і Intersil (Harris).

Джерело: chipinfo.ru


Tags: , , , , , ,

Польові транзистори


Схожі записи