« Польові транзистори з переходом що управляє   |   Як перевірити польовий транзистор »

В пристрої бажано застосовувати транзистори з близькими значеннями Uотс і Io (або Iод), проте цілком допустимий розкид цих параметрів до 50…100 %, оскільки різницю посилення по каналах легко компенсувати вхідними регуляторами R1, R5. Слід обов′язково перевірити, щоб жоден з каналів не входив в режим амплітудного обмеження в робочому інтервалі вхідної напруги.
При використанні кремнієвого діода допустима амплітуда позитивної напівхвилі на затворі кожного польового транзистора - не меншого 1 В.

При роботі одного каналу при напрузі живлення Uпит=9 В, вихідній напрузі Uвых=0,1 В (значення, що діє), частоті сигналу fс=0,1 кгц коефіцієнт посилення змішувача приблизно рівний 3, а по рівню нелінійних спотворень він не поступається побудованому по класичній схемотехніці.

Джерело: kazus.ru

Pages: 1 2 3 4 5 6 7


Tags: , , , , , ,

Польові транзистори


Схожі записи

  • Польовий транзистор - Вікипедія (05.03.2009)
    ... У 1953 році Дейки і Рос запропонували і реалізували іншу конструкцію польового транзистора - з p-n-переходом, що управляє. Нарешті, третя конструкція польових транзисторів - польових транзисторів з бар'єром Шоттки - була запропонована і реалізована Мідом в 1966 році. Схеми включення польових транзисторів Класифікація польових транзисторів По фізичній ...
  • Розрахунок транзистора при роботі на індуктивне навантаження (04.04.2009)
    ... Допущення 1: трансформатор ідеально розрахований, не перемагнічується, і за зворотний такт повністю віддає свою енергію в навантаження. В цьому випадку форма струму через транзистор в такті включення матиме форму ідеальної пили. Шпаруватість на максимальній потужності (відношення періоду до тривалості імпульсу) буде ...
  • МОП-ТРАНЗІСТОРИ (04.03.2009)
    ... Але разом з позитивними якостями, тріоди мають і свої недоліки. Як і напівпровідникові діоди, транзистори дуже чутливі до підвищення температури, електричних перевантажень і сильно проникаючих випромінювань (щоб зробити транзистор довговічнішим, його поміщають в спеціальні корпуси ). Основні матеріали з яких виготовляють транзистори - кремній і германій, перспективні, - арсенід галію, сульфід цинку ...
  • Способи схемотехнік боротьби із замиканням в каскадах з IGBT транзисторах (16.03.2009)
    ... Особлива цінність таких мікросхем полягає в тому, що їх вихідні каскади здатні харчуватися від так званих "бутстрепних" конденсаторів в схемах "зарядового насоса" і не вимагають "плаваючих" джерел живлення. Велику гамму драйверів різного призначення поставляє фірма International Rectifier, зокрема: драйвер транзистора верхнього плеча IR2125 драйвер ...
  • Транзистори мікросхеми мініатюризація (16.04.2009)
    ... І чим ретельніше змодельована робота проекту, тим швидше і з меншими помилками буде виготовлена сама мікросхема (є з причини її фінальний, масовий варіант). Адже відладка, пошук і виправлення помилок проектування у вже готовому кристалі, як правило, значно складніше і дорожче, ніж моделювання на комп'ютері. Другий основоположний напрям - це власне напівпровідникові технології виробництва ...