« Польові транзистори з переходом що управляє   |   Як перевірити польовий транзистор »

Традиційна схемотехніка лінійних підсилювачів на польових транзисторах із затвором у вигляді р-п-переходу (надалі скорочено званому р-п-затвором) передбачає в основному режим, коли робоча крапка знаходиться в області зворотного (що закриває) зсуву, тобто при Uотс Разом з тим, на сток-затворной характеристиці транзистора цього класу є область прямого зсуву, при якому струм затвора ще не протікає. Не дивлячись на те що цей факт відомий (див. книгу П. Хоровица і У. Хил-ла "Мистецтво схемотехніки", т. 1.- М.: Мир, 1986.), режим прямого зсуву знаходить вельми обмежене застосування.

Проведені автором дослідження показали, що використання режиму, в якому робоча крапка може знаходитися в зоні відкриваючого зсуву, дозволяє істотно спростити схеми вузлів на польових транзисторах. Застосування таких схем раціональне в тих випадках, коли вимогу мінімальності числа елементів виправдовує необхідність підбірки деяких з них, тобто
у практиці радіоаматорства і при розробці особливо мініатюрних конструкцій.

Польові транзистори - Незвичайний режим роботи польового транзистора

На мал. 1 представлені узагальнені сток-затворная і вхідна характеристики польового транзистора з р-п-затвором. На цих вольт-амперних характеристиках - Iс=f(Uвх) і Iз=f(Uвх) - можна виділити три характерні зони: 1 - закриваючого зсуву Uзи, 2 - відкриваючого зсуву, при якому струм затвора практично відсутній, і 3 - відкриваючого зсуву, що обумовлює істотний струм затвора.

Чіткої межі між зонами 2 і 3 немає, тому для визначеності приймемо як умовну межу між ними ординату, відповідну струму затвора 1 мка, - при такому струмі опір затвора ще вельми великий, і це значення може бути порівняльне просто зміряно. Позначимо також символом Im струм стоку на цій межі і пряма напруга на затворі Um.

Pages: 1 2 3 4 5 6 7


Tags: , , , , , ,

Польові транзистори


Схожі записи

  • Повернення до біполярних транзисторів (02.04.2009)
    ... Нагадаємо, що цю технологію IBM вже досить широко застосовує при виготовленні мікросхем, а компанія AMD використовує її в нових 64-розрядних процесорах Opteron і Athlon 64. На пластини SOI наноситься тонкий шар оксиду, що грає роль ізолятора і що запобігає витоку енергії, що допомагає збільшити продуктивність транзисторів КМОП. Проте біполярні транзистори вимагають товщої основи, ...
  • Призначення буквених позначень параметрів транзисторів використовуваних в таблицях (18.03.2009)
    - час розсмоктування для біполярного транзистора (для транзисторів КТ601- КТ997 цей параметр вказаний в круглих дужках в передостанній колонці); tcп. - час спаду для біполярного (польового) транзистора; tк - постійна часу ланцюга зворотного зв'язку на високій частоті біпопярного транзистора; Джерело: radio-hobby.org
  • Як перевірити польовий транзистор (28.02.2009)
    ... При ремонті апаратів, в яких застосовані польові транзистори, у ремонтників дуже часто виникає завдання перевірки цілісності і працездатності цих транзисторів. Найчастіше доводиться мати справу з могутніми польовими транзисторами імпульсних блоків живлення, що вийшли з ладу. Розташування висновків польових транзисторів (Gate - Drain - Source) може бути різним. Найчастіше висновки транзистора ...
  • Надмініатюрні польові транзистори корпорації INTEL для Pentiumов (03.03.2009)
    ... Структура інтегрального польового транзистора представлена на мал. 2. В напівпровідниковій пластині з чистісінького кремнію створюються області витоку і стоку з підвищеною концентрацією донорной домішки. З витоку витікають і втікають в стік носії електричного заряду, створюючи струм стоку. Між ними утворюється канал з провідністю n-типу. Поверх нього розташований шар якнайтоншого діелектрика і на ...
  • Складки з складених транзисторів Дарлінгтона (06.04.2009)
    ... 10 би. Решта приладів цієї групи відрізняється номіналом резистора в ланцюзі бази. У складок BA 12003 його величина складає 2,7 ком, а у BA 12001B цей резистор відсутній. Область застосування - управління групою малопотужних навантажень, наприклад, світлодіодів, малопотужних електромагнітних реле. Для останнього випадку в кожному каналі виконаний захисний діод, анод якого сполучений з колектором складеного ...