« Надмініатюрні польові транзистори корпорації INTEL для Pentiumов   |   Польовий транзистор - Вікипедія »

Польові транзистори з ізольованим затвором використовують у високочастотних підсилювачах, змішувачах, ключових пристроях.

В рекомендації по використанню транзисторів для випадку польових транзисторів слід внести доповнення:

1. На затвор польових транзисторів з р-п ( негативне для транзисторів з р - каналом і позитивним для транзистора з п - каналом).

2. Польові транзистори з ізольованим затвором слід зберігати із закороченими висновками. При включенні транзисторів в схему повинні бути прийняті всі заходи для зняття зарядів статичної електрики. Необхідне паяння проводити на заземленому металевому листі, заземлити жало паяльника, а так само руки монтажника за допомогою спеціального металевого браслета.
Не слід застосовувати одяг з синтетичних тканин. Доцільно під’єднувати польовий транзистор до схеми, заздалегідь закоротів його висновки.

Джерело: studzona.com

Pages: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10


Tags: , , , , , ,

Польові транзистори


Схожі записи

  • Способи схемотехнік боротьби із замиканням в каскадах з IGBT транзисторах (16.03.2009)
    ... Все сказане вище робить транзистори IGBT у поєднанні з мікросхема-мі управління оптимальними елементами для побудови силових ключових каскадів з потужністю до десятків кіловат. Проте вказані елементи мають і ряд технологічних недоліків, що обмежують область їх застосування. Серед найбільш серйозних - наявність часу розсмоктування бази біполярної частини IGBT (хвоста) і здатність транзисторів ...
  • IGBT - Вікипедія (10.03.2009)
    ... Діапазон використання - від десятків А до 1200 А по струму, від сотень вольт до 10 кв по напрузі. У діапазоні струмів до десятків А і напруги до 500 В доцільно застосування звичайних МДП-транзисторів, а не IGBT. Застосування Принципова схема IGBT. Даний інвертор можна ...
  • Про польовий транзистор (25.02.2009)
    ... А це означає, що вони виділяли менше тепла; у минулих конструкціях саме значне виділення тепла стримувало подальше збільшення щільності інтеграції. Схеми, що мали до 15 шарів; тепер вдавалося розмістити в кристалі завтовшки в тисячну частку сантиметра. До 1981 р., опісля лише десятиліття після винаходу Едварда Хоффа, фірма Hewlett-Packard (Хьюлетт-пакард) вже змогла випустити мікропроцесор, що ...
  • Чи так хороший складений транзистор (08.04.2009)
    ... Якщо, скажімо, в силовому ланцюзі необхідно отримати струм близько 10 А, потрібно забезпечити протікання в ланцюзі «база-емітер» струму близько 0,5... 1 А. Чи то справа складений транзистор - в цьому випадку, здавалося б, можна обійтися і десятками міліампер. Схема управління джерелом значно спрощується, підвищується її ККД, надійність... Таке рішення проблеми із забезпеченням маловитратного управління ...
  • Призначення буквених позначень параметрів транзисторів використовуваних в таблицях (18.03.2009)
    ... - струм витоку затвора; Рк max - максимально допустима постійна розсіювана потужність колектора без теплоотвода; Рк т max - максимально допустима постійна розсіювана потужність колектора з теплоотводом; Рси mаx - максимально допустима постійна розсіювана потужність стік - ...