Елементи С3, R5, С4, R31, С12 запобігають самозбудженню підсилювача на високих частотах.
Ланцюг R7, Сб служить для вирівнювання АЧХ підсилювача на високих частотах звукового діапазону (до 20 кгц).
Конструктивно підсилювач зібраний на друкарській платі. Температурна стабілізація струму спокою вихідних транзисторів здійснюється за допомогою транзистора VT5, встановленого на загальному з VT12 або VT11 радіаторі; у безпосередній близькості від них. Для живлення підсилювача необ-ходім двохполярне джерело, що забезпечує при напрузі ±40 У струм не меншого 2,5 А.
Налагодження підсилювача, зібраного із справних елементів, полягає в перевірці правильності монтажу і установці струму спокою вихідних транзисторів резистором R16 в межах 20… 40 ма. Джерело: amatar.by

Підсилювач потужності з польовим транзистором як джерело струму →

Вона висловлюється тільки для подальшого практичного застосування і розуміння роботи приладу, і не більше. Тому опущена фізика роботи ПТ і деякі теоретичні положення. Саме на практичному аспекті вживаних положень і зроблений акцент.
Сподіваюся, що для радіоаматорів, що починають, невеликий опис роботи приладу буде корисним і застосовним в створенні реальної конструкції.
Передавальна (що управляє) характеристика польових транзисторів з керівником p-n - переходом.

На приведеному малюнку зображена схема вимірювання струму стоку польового транзистора. У позначеннях: затвор - з, стік - з, витік - і. Окрім струму стоку найважливішою характеристикою ПТ є напруга відсічення Uотс. Це напруга між затвором і витоком (Uзи), при якому струм стоку дорівнює майже 0, хоча зазвичай його приймають в 10 мка.
Еслі Uзи дорівнює 0, то струм стоку ПТ буде максимальним і називається струмом насичення, або струмом повного відкритого каналу, або початковим струмом стоку. Позначається …

Польові транзистори в практиці радіоаматорів що починають →

Схема каскадного транзистора
Конструкція високовольтного унітрона виконана із застосуванням спеціальної технології на початковій кремнієвій пластині p+-типа, що дозволяє здійснювати так званий режим подвійної інжекції в дрейфову область силового транзистора.
В результаті в структурі приладу формується стаціонарний розподіл нерівноважних носіїв, властивий p-i-n діоду, що дозволяє набувати відносно низьких значень залишкових падінь напруги стік/витік.
Для дослідження каськодного транзистора і оцінки отриманих результатів як два макетні зразки використовувалися ключ першого покоління (з щодо великої велічиной залишкового струму) класом напруги 600 В і оптимізована для високочастотного застосування структура каськодного ключа на напругу 1200 В з максимальними струмами відповідно 20 А і 50 А.
Як функціональні аналоги було підібрано декілька типів силових транзисторів: дискретні МОП польові транзистор і IGBT технології PT по класу напруги 600 В на струм 20 А кожен, а також дискретний IGBT технології NPT на 1200 В і 50 А, що відповідало електричним параметрам виготовлених зразків. Найбільш …

Порівняльний аналіз ефективності ключових силових транзисторів з польовим управлінням →

Адаптер для спареної телефонної лінії
Абоненти спарених телефонних ліній при підключенні до цих ліній автовідповідачів часто стикаються з такою проблемою: автовідповідач не реагує на викличний сигнал, не хоче включатися і відповідати на дзвінок. Причина криється в принципі розділення спарених абонентських ліній за допомогою діодів: телефон одного абонента активізується позитивною напругою з АТС, а іншого - негативним.
Тепер пригадаємо, що схема виділення викличного сигналу в автовідповідачі включена через розділовий конденсатор, і картина стає ясною: цей конденсатор заряджає через відкритий діод на зростаючій ділянці синусоїдального викличного сигналу, а розрядитися на падаючій ділянці не може, оскільки діод закривається.
У результаті змінна напруга, що поступає на схему визначення викличного сигналу, виявляється недостатньою для її спрацьовування, і автовідповідач не включається.
Відомі схеми, що забезпечують розрядний струм на падаючій ділянці викличного сигналу, достатньо складні і повинні включатися в розрив телефонної лінії до автовідповідача. Використання таких сучасних приладів, як могутні польові MOSFET-транзистори, …

Прості схеми на польових транзисторах →

Схеми включення польових транзисторів

Класифікація польових транзисторів
По фізичній структурі і механізму роботи польові транзистори умовно ділять на 2 групи. Першу утворюють транзистори з керівником р-n переходом або переходом метал - напівпровідник (бар’єр Шоттки), другу - транзистори з управлінням за допомогою ізольованого електроду (затвора), т.з. транзистори МДП (метав - діелектрик - напівпровідник).

Транзистори з керівником p-n переходом
Мал. 1. Пристрій польового транзистора з керівником p-n переходом
Польовий транзистор з керівником p-n переходом - це польовий транзистор, затвор якого ізольований (тобто відокремлений в електричному відношенні) від каналу p-n переходом, зміщеним у зворотному напрямі.
Такий транзистор має два невипрямляючі контакти до області, по якій проходить керований струм основних носіїв заряду, і один або два керівників електронний-дірчастих переходу, зміщених у зворотному напрямі (див. мал. 1).
При зміні зворотної напруги …

Польовий транзистор - Вікипедія →

При підключенні до витоку негативного (для п-каналу), а до стоку позитивної напруги (мал.
1 ) у каналі виникає електричний струм, що створюється рухом електронів від витоку до стоку, тобто основними носіями заряду. У цьому полягає істотна відмінність польового транзистора від біполярної. Рух носіїв заряду уздовж електронний-дірчастого переходу (а не через переходи, як в біполярному транзисторі) є другою характерною особливістю польового транзистора.
Електричне поле, що створюється між затвором і каналом, змінює щільність носіїв заряду в каналі, тобто величину протікаючого струму. Оскільки управління відбувається через назад зміщений р-п-перехід, опір між електродом, що управляє, і каналом великий, а споживана потужність від джерела сигналу в ланцюзі затвора нікчемно мала.
Тому польовий транзистор може забезпечити посилення електромагнітних коливань як по потужності, так і по струму і напрузі.

Мал. 2. Структура польового транзистора з ізольованим затвором: а - з індукованим каналом ; би - з вбудованим каналом.

Польовий транзистор …

МОП-ТРАНЗІСТОРИ →