« Одноперехідні транзистори   |   Про транзистор біополярному » .

Вибір даного типа ІМС обумовлений украй низькою їх вартістю в порівнянні з сучаснішими підсилювачами могутньо сті низької частоти [2]. Приклад використання аналогічного підсилювача сигналу звукової частоти можна знайти в [3].

Джерело: radioland.net.ua

Pages: 1 2 3 4 5


Tags: , , , , , ,

Однопереходний транзистор


Схожі записи

  • Транзистори Trench IGBT шостого покоління (15.03.2009)
    ... Нові IGBT шостого покоління відносяться до типа DS (Depletion Stop) Trench IGBT. Кристал такого транзистора містить вертикально розташований затвор і шар, блокуючий носії (depletion stop). Кращі теплові характеристики транзисторів цього типу досягаються за рахунок мінімальної товщини (70 мкм) пластин. Завдяки застосуванню технології trench, затвор розташований вертикально, що сприяє істотному зниженню площі осередку. ...
  • Проблеми вибору ключових силових транзисторів для перетворювачів напруги з жорстким перемиканням (11.04.2009)
    ... Мал. 1 ілюструє загальноприйняте розмежування областей застосування MOSFET і IGBT силових транзисторів в жорсткому режимі перемикання виходячи з досяжних для комерційного використання їх основних електричних характеристик. При напрузі живлення до 250 В і на частотах перемикання понад 100 кгц домінуючу роль грають MOSFET польові транзистори, на частотах до 30 кгц і напрузі 300-1200 В перевагу віддається ...
  • Польові транзистори з переходом що управляє (26.02.2009)
    ... Головним достоїнством цих транзисторів є високий вхідний опір (як у ламп і навіть більше). Принцип пристрою і схема включення польового транзистора зображені на мал. 1. Мал. 1 - Польовий транзистор з p-n-переходом і каналом n-типу Пластинка з напівпровідника (у нашому випадку n-типу) ...
  • Як перевірити польовий транзистор (28.02.2009)
    ... Щоб запобігти виходу з ладу транзистора під час перевірки, дуже важливо при перевірці польових транзисторів дотримувати правила безпеки. Річ у тому, що польові транзистори дуже чутливі до статичної електрики, тому їх рекомендується перевіряти, заздалегідь організувавши заземлення. Для того, щоб зняти з себе накопичені статичні електричні заряди, необхідно надіти на руку заземляючий антистатичний браслет. ...
  • Одноперехідні транзистори (29.03.2009)
    ... 1, в), де RБ1 і RБ2 - опору між відповідними висновками бази і емітером, а Д1- емітерний р-п перехід. Струм, що протікає через опори RБ1 і RБ2, створює на першому з них падіння напруги, що зміщує діод Д1 у зворотному напрямі. Якщо напруга на зміттере Uэ менше падіння напруги на опорі RБ1, діод Д1 закритий, ...