« Одноперехідні транзистори   |   Про транзистор біополярному »

Пропонована для повторення проста конструкція дозволяє отримувати безліч самих різних звукових ефектів: від стрілянини з різної зброї, вибухів бомб, капіж дощивши і скреготу металу до гуркоту військового вертольота і завивання міліційних сирен.
Пристрій можна застосувати як доповнення до будь-якої електрифікованої іграшки або як сигнально# го вузла з оригінальним звучанням в різних пристроях, наприклад в електронних будильниках, викличних вузлах телефонних апаратів, охоронних системах.

Однопереходний транзистор - Генератор звукових ефектів на одноперехідних транзисторах

Рис.1. Схема генератора звукових ефектів на одноперехідних транзисторах

Принципова електрична схема пристрою показана на рис.1. Основу конструкції складають два генератори на малопотужних одноперехідних транзисторах VT1, VT2. Перший генератор - низькочастотний, виконаний на транзисторі VT1, конденсаторі C1 і резисторах R1-R4.
океанские лайнеры днепропетровск Його частота перемикання більшою мірою залежить від місткості конден сатора C1 і встановленого опору подстроєчного резистора R1. Подстроєчний резистор R4 також небагато впливає на частоту генерації VT1.

Другий генератор - тональний, виконаний на елементах VT2, R5, R6, C3, R8. Його частота генерації, в основному, залежить від опору резистора R6, місткості конденсатора C3 і величини напруги на висновку першої бази транзистора VT1. Цей генератор включений так, що його робоча частота залежить від стану першого генератора, тобто він є уп равляємим, або “відомим”.

На транзисторах VT3-VT5 виконаний простий двотактний підсилювач низької частоти по потужності.
На відміну від пристрою, де телефонний капсуль включається як навантаження в ланцюг генераторного транзистора KT117, 2T117 (А-Г), використання додаткового підсилювача на біполярних транзисторах дозволяє по світити велику гучність і повністю усунути негативний вплив параметрів навантаження на частоту генерації і форму імпульсів генератора.

Pages: 1 2 3 4 5


Tags: , , , , , ,

Однопереходний транзистор


Схожі записи

  • Лампи і транзистори теорія і факти (19.03.2009)
    ... Річ у тому, що габарити підсилювача значною мірою визначаються габаритами і масою джерела живлення, а в нім неодмінним атрибутом є трансформатор і конденсатори фільтру. До того ж, перші транзистори вимагали могутнього теплоотвода, внаслідок чого їх розміри могли перевищувати габарити лампи. Але головна відмінність була в тому, що перші зразки транзисторів були вельми нездійснені, ...
  • Повернення до біполярних транзисторів (02.04.2009)
    ... Проте, як нагадує директор IBM Research по розробках в області кремнієвих технологій Джавам Шахиді, на раніших етапах розвитку комп'ютерної галузі в мікросхемах часто застосовувалися звані біполярні транзистори. Біполярні транзистори добре підходять для посилення слабких сигналів, зокрема - при високому рівні фонового шуму. З цієї причини вони як і раніше використовуються в мікросхемах ...
  • Польові транзистори з переходом що управляє (26.02.2009)
    ... 1. Мал. 1 - Польовий транзистор з p-n-переходом і каналом n-типу Пластинка з напівпровідника (у нашому випадку n-типу) має на протилежних кінцях електроди, за допомогою яких вона включена у вихідний (керовану) ланцюг підсилювального каскаду. Цей ланцюг харчується від джерела E2 і в неї включено навантаження Rн. ...
  • Біполярний могутній транзистор (01.04.2009)
    ... Відповідні вітчизняні аналоги - БТІЗ (біполярний транзистор з ізольованим затвором), МОП ПТ (польові транзистори структури металл/окисел/полупроводник), БТ (біполярні транзистори) і БМТ (біполярні могутні транзистори). Оскільки вітчизняні скорочення використовуються достатньо рідко, а більшість технічних описів приладів англомовні, то для спрощення викладу в статті прийняті зарубіжні позначення для IGBT і MOSFET і вітчизняне БМТ для біполярних приладів. ...
  • Надмініатюрні польові транзистори корпорації INTEL для Pentiumов (03.03.2009)
    ... Наскільки б не був складний сучасний мікропроцесор (або будь-яка СБІС), його "цеглою" є польові транзистори. Звичайні польові транзистори і їх схемотехніка достатньо детально описані в [1, 2]. Структура інтегрального польового транзистора представлена на мал. 2. В напівпровідниковій пластині з чистісінького кремнію створюються області витоку і стоку з підвищеною концентрацією донорной ...