На транзисторах VT3-VT5 виконаний простий двотактний підсилювач низької частоти по потужності.
На відміну від пристрою, де телефонний капсуль включається як навантаження в ланцюг генераторного транзистора KT117, 2T117 (А-Г), використання додаткового підсилювача на біполярних транзисторах дозволяє по світити велику гучність і повністю усунути негативний вплив параметрів навантаження на частоту генерації і форму імпульсів генератора.
vst.net.ua - металлопластиковые окна донецк недорого! Конденсатори C2, C4 - блокувальні по ланцюгу живлення. Залежно від конеч ного конструктивного виконання в каче стве вимикача SA1 можна застосувати геркон, механічне або електронне реле.
Постійні резистори можна використовувати малогабаритні будь-якого типу, зокрема імпортні. Подстроєчниє резистори типів СП3538 (а, би), РП1563м. Замість них зручно застосувати малогабаритні двіжковиє резистори від несправних імпортних автомагнітол.
Якщо буде потрібно підвищену точність вуста новки заданих частот, то бажано іс пользовать багатооборотні подстроєчниє резистори типа СП3536 або аналогічні. Оксидні конденсатори типів К53 19, К50524, К50535 або їх імпортні аналоги. Неполярні конденсатори можуть бути будь-якими керамічними або плівковими, …

Генератор звукових ефектів на одноперехідних транзисторах →

1, а, умовне графічне позначення в схемах - на мал. 1, би.

Основою одноперехідного транзистора є кристал напівпровідника (наприклад, з провідністю n-типу), званий базою. На кінцях кристала є омічні контакти Б1 і БЗ, між якими розташована область, що має випрямляючий контакт з напівпровідником р-типу, що виконує роль емітера.
Принцип дії однопероходного транзистора зручно розглянути, користуючись простою еквівалентною схемою (мал. 1, в), де RБ1 і RБ2 - опору між відповідними висновками бази і емітером, а Д1- емітерний р-п перехід. Струм, що протікає через опори RБ1 і RБ2, створює на першому з них падіння напруги, що зміщує діод Д1 у зворотному напрямі.
Якщо напруга на зміттере Uэ менше падіння напруги на опорі RБ1, діод Д1 закритий, і через нього тече тільки струм витоку. Коли ж напруга UЭ стає вищою за напругу на опорі RБ1, діод починає пропускати струм в прямому напрямі.
При цьому опір RБ1 зменшується, …

Одноперехідні транзистори →