« Лукава транзисторна історія   |   Одноперехідні транзистори »

Відкриваючи осінній форум Intel для розробників (IDF) в Сан-Франциско (www.pcweek.ru/themes/detail.php?ID=102444), старший віце-президент і генеральний менеджер підрозділу Digital Enterprise Group корпорації Патрік Гелсингер відзначив, що 2007-м став ювілейним не тільки для Intel (що відзначила десятиліття IDF), але і для всієї напівпровідникової галузі: як визнано міжнародним співтовариством, 60 років тому американці У.
Шоклі, В. Браттейн і Дж. Бардін винайшли перший транзистор. А тим часом в цій сфері є чим гордитися і російським ученим і інженерам.

Турецкий футбол, все о футболе от football4you.net!

Коли і де саме почався “шлях до транзистора”, сказати не просто. Його конкретному створенню передував тривалий і вельми насичений період досліджень в області електроніки, наукових експериментів і розробок в багатьох країнах. Зрозуміло, СРСР не був виключенням. Початком вітчизняних розробок в цьому напрямі можна рахувати праці фізика А. Г. Столетова у сфері фотоефекту і А.
С. Попова по створенню пристроїв, що радіопередають, ще в кінці XIX в. Розвиток електроніки за радянських часів стимулювався бурхливим прогресом радіотехніки в двадцяті роки, чималу роль в якому грали розробки надпотужних (для того часу) радіоламп, лампових трігерів і інших елементів, виконані М. А. Бонч-бруєвічем.
Одним з чинників, що визначили бурхливий розвиток даного напряму, став загальний підйом науки і освіти в країні.

Історики науки знають, що рівень радянських досліджень і розробок по всьому діапазону питань електроніки часто перевершував світовий і ніколи не опускався нижче за нього.
Це обуславлівалось “вибуховим” характером наукового прогресу в СРСР і тим, що на розвитку науки в багатьох західних країнах вельми негативно позначилися період післявоєнної (1914 -1918 рр.) депресії, а пізніше і жорстока економічна криза 1929 -1934 рр.

Pages: 1 2 3 4 5 6 7


Tags: , , , , , ,

Історія транзисторів


Схожі записи

  • Біполярні кремнієві могутні СВЧ-транзистори фірми Ерікссон (03.04.2009)
    ... В останні десять років Росія переживає небачений підйом в області розвитку засобів особистого (індивідуальною) цивільного зв'язку: стільниковою, транкингової, пейджінгової і супутниковою. З'явилася безліч малих і середніх приватних фірм, що проводять апаратуру, що передає. Не можна виключати і армію радіоаматорів, що налічує, за грубими оцінками, не менші п'ятдесят тисяч ентузіастів, добра половина яких працює на ...
  • Надмініатюрні польові транзистори корпорації INTEL для Pentiumов (03.03.2009)
    ... Зокрема, це досягається переходом від фотолітографії у видимому оптичному діапазоні до більш короткохвильового випромінювання, що може на порядок поліпшити дозвіл елементів БІС і СБІС. Рис.1. Наскільки б не був складний сучасний мікропроцесор (або будь-яка СБІС), його "цеглою" є польові транзистори. Звичайні польові транзистори і їх схемотехніка достатньо детально описані ...
  • Транзисторна історія (26.03.2009)
    ... Нобелівській премії по фізиці за відкриття транзисторного ефекту. До кінця 40-х років, коли вступили в дію перші великі електронні комп'ютери, фахівці з техніки зв'язку почали шукати заміну громіздким і крихким лампам, що служили підсилювачами. У центрі уваги опинилися кристалічні мінерали під назвою «напівпровідники». На рубежі XIX-XX вв. один з таких мінералів, галенід (або сульфід ...
  • Польові транзистори з переходом що управляє (26.02.2009)
    ... Джерело E1 створює на єдиному p-n-переході зворотну напругу. Пряма напруга на перехід не подається, оскільки тоді вхідне сопроотівленіє транзистора буде дуже малим. У вхідний ланцюг включено джерело підсилюваних коливань ГИК. Розглянемо фізичні процеси в польовому транзисторі. При зміні вхідної напруги змінюється зворотна напруга на p-n-переході, внаслідок чого змінюється товщина замикаючого шару (на малюнку ...
  • Транзистори - Схеми включення біполярних транзисторів (05.04.2009)
    ... 1 - Схема включення транзистора із загальним емітером Услітельниє властивості транзистора характеризує один з головних його параметрів - статичний коефіцієнт передачі струму бази або статичний коефіцієнт посилення по струму ?. Оскільки він повинен характеризувати тільки сам транзистор, його визначають в режимі без навантаження (Rк = 0). Чисельно він рівний: ...