Столетова у сфері фотоефекту і А.
С. Попова по створенню пристроїв, що радіопередають, ще в кінці XIX в. Розвиток електроніки за радянських часів стимулювався бурхливим прогресом радіотехніки в двадцяті роки, чималу роль в якому грали розробки надпотужних (для того часу) радіоламп, лампових трігерів і інших елементів, виконані М. А. Бонч-бруєвічем.
Одним з чинників, що визначили бурхливий розвиток даного напряму, став загальний підйом науки і освіти в країні.
курсы английского Історики науки знають, що рівень радянських досліджень і розробок по всьому діапазону питань електроніки часто перевершував світовий і ніколи не опускався нижче за нього.
Це обуславлівалось “вибуховим” характером наукового прогресу в СРСР і тим, що на розвитку науки в багатьох західних країнах вельми негативно позначилися період післявоєнної (1914 -1918 рр.) депресії, а пізніше і жорстока економічна криза 1929 -1934 рр.
Одним з перших експериментаторів проблем, що зацікавили, стала одностороння провідність в точці зіткнення металевої пружини і кристалів напівпровідника: потрібно було зрозуміти …

Про внесок радянських і російських учених в розробку напівпровідникових транзисторів →

Кремній переміг германій по дуже простій причині - він був набагато дешевший. Кажучи грубо, його можна отримувати прямо з піску.
Ще однією не менш важливою властивістю кремнію виявилося існування його оксиду, що дозволив найбільш ефективним і дешевим чином захистити інтегральні схеми від численних хімічних і інших неприємних дій.
Але найвирішальнішою виявилася можливість «штампувати» ефективно працюючі польові транзистори на основі пари матеріалів кремній-двоокис кремнію, що з’явилася. Ідея Лілієнфельда майже відразу ж реанімувалася: у 1960 році американці Аталла і Канг подали патент на виготовлення ПТ з використанням вказаної пари.
Між іншим, в цей же час подав заявку на такий же винахід радянський фізик Р.С. Нахмансон, але вона була знехтувана Держкомітетом по винаходах і відкриттях, оскільки чиновники цього відомства переплутали електричне поле з магнітним.
Так 45 років тому поява кремнію і його оксиду дозволила реалізувати ідею польового транзистора, званого зараз М(метав) -О(оксид) -П(напівпровідник) -транзистором, до невпізнання що змінив мир в …

Лукава транзисторна історія →

Рухомі електрони це і є носії електричного струму.
З іншого боку, ізолятори, наприклад гума, не проводять струму, оскільки у них електрони міцно пов′язані з атомами і не реагують на дію зовнішнього електричного поля.

Напівпровідники, властивості яких до початку війни були ще слабо вивчені, поводяться інакше. Атоми в кристалах напівпровідників утворюють грати, а їх зовнішні електрони зв′язані силами хімічної природи. У чистому вигляді напівпровідники діють скоріше подібно до ізоляторів: або дуже погано проводять струм, або не проводять взагалі.
Та варто додати в кристалічну решітку невелику кількість атомів певних елементів, як їх поведінка корінним чином міняється.

В деяких випадках атоми домішки зв′язуються з атомами напівпровідника так, що утворюються зайві електрони; надлишок вільних електронів додає напівпровіднику негативний заряд. У інших випадках атоми домішки створюють так звані «дірки», які здатні «поглинати» електрони. Таким чином виникає недолік електронів і напівпровідник стає позитивно зарядженим.
За відповідних умов напівпровідники можуть проводити електричний струм. Але на відміну від …

Транзисторна історія →

Це підсилювальна властивість транзисторів використовується в аналоговій техніці (аналогові ТБ, радіо, зв′язок і т. п.).
В даний час в аналоговій техніці домінують біполярні транзистори (БТ) (міжнародний термін - BJT, bipolar junction transistor). Іншою найважливішою галуззю електроніки є цифрова техніка (логіка, пам’ять, процесори, комп’ютери, цифровий зв′язок і т. п.), де, навпаки, біполярні транзистори майже повністю витиснені польовими.
Вся сучасна цифрова техніка побудована, в основному, на польових МОП (металл-оксид-напівпровідник) -транзисторах (МОПТ), як економічніших, в порівнянні з БТ, елементах. Іноді їх називають МДП (металл-диэлектрик-напівпровідник) - транзистори. Міжнародний термін - MOSFET (metal-oxide-semiconductor field effect transistor).
Транзистори виготовляються в рамках інтегральної технології на одному кремнієвому кристалі (чіпі) і складають елементарну «цеглинку» для побудови мікросхем пам’яті, процесора, логіки і т.п. Размери сучасних МОПТ складають від 90 до 32 нм. На одному сучасному чіпі (зазвичай розміром 1-2 смІ) розміщуються декілька (поки одиниці) мільярдів МОПТ.
Впродовж 60 років відбувається зменшення розмірів (мініатюризація) МОПТ і збільшення …

Транзистор - Вікипедія →