В цьому випадку форма струму через транзистор в такті включення матиме форму ідеальної пили. Шпаруватість на максимальній потужності (відношення періоду до тривалості імпульсу) буде рівна 2.
Допущення 2: мережева напруга випрямлена і повністю згладжена до напруги 280В (що на практиці без використання коректора потужності практично нереально, наприклад, для потужності 1.2 квт при місткості вхідних конденсаторів 940 мкф на постійну напругу будуть накладені пульсації мережевої напруги, пік пили - амплітудне мережеве 310В, нижнє значення пили порядку 260В)
Розрахуємо середнє значення струму через транзистор.
Потужність, споживана від мережі:
(1) Рвх=Рвых/з
Допущення 3: ККД приймаємо 90% (хороші перетворювачі мають 95-97%) з=0.9
Отже, споживана від мережі потужність: Pвх=700/0.9= 778 Вт
Середній струм …
Розрахунок транзистора при роботі на індуктивне навантаження →
Початок робіт з їх створення відноситься до середини 60-х років і пов′язане з успіхами планарной технології.
Поява в 1965 році в США першого серійного біполярного транзистора 2N3375 фірми RCA з вихідною потужністю 3 Вт на частоті 400 Мгц послужило стимулом для швидкого розвитку робіт в цьому напрямі. У подальші роки були розроблені і освоєні у виробництві різні перспективніші типи могутніх СВЧ-транзисторів:
• прилади, призначені для роботи в умовах значного розузгодження навантаження, широкосмугові, зокрема балансні, з елементами внутрішнього узгодження по входу і виходу;
• імпульсні, особливість застосування яких - досягнення вищого рівня вихідної потужності при великих значеннях колекторної напруги;
• лінійні для роботи в режимі класу А з прийнятними значеннями коефіцієнта інтермодуляционних спотворень [2].
Зараз разом з могутніми біполярними СВЧ-кремнієвими транзисторами почали широко застосовуватися і що успішно конкурують з ними могутні кремнієві польові транзистори з ізольованим затвором (МДП-прилади). Разом з дискретними могутніми кремнієвими СВЧ-транзисторами ряд фірм проводить …
Біполярні кремнієві могутні СВЧ-транзистори фірми Ерікссон →
По словах Шахиді, зараз фахівці IBM розробляють методи монтажу біполярних транзисторів на тонких пластинах SOI в дослідницьких лабораторіях. У компанії планують реалізувати дану технологію в комерційних продуктах протягом найближчих п’яти років.
В IBM розробили метод розміщення біполярних транзисторів на SOI-пластинах, виконаних із застосуванням кремній-германієвой технології (SiGe). Якщо на пластину подається низька або нульова напруга маршрут руху електронів від емітера до колектора має велику протяжність (рожева стрілка).
При подачі на пластину високої позитивної напруги контакт колектора, за словами представників IBM, «віртуально розширюється, займаючи площу SOI-шару під емітером», що зменшує протяжність маршруту руху електронів (зелена стрілка). Тим самим забезпечується можливість використовувати такі мікросхеми у високошвидкісних обчислювальних пристрояхДжерело: osp.ru
Повернення до біполярних транзисторів →
Проте практичне втілення у вигляді єдиного приладу, що реалізовується методами сучасної технології на одному чіпі і в одному корпусі, отримали всього лише декілька з них, в першу чергу та комбінація BIPMOS, що згодом була названа як IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) в зарубіжній і БТІЗ (біполярний транзистор з ізольованим затвором) у вітчизняній літературі.
Цей тип МПП, як і MOSFET, керований по затвору рівнем напруги, є двохкаскадне з’єднання по схемі псевдо Дарлінгтона нізковольт- ного n-канального MOSFET транзистора і високовольтного р-п-р біполярного транзистора.
Оскільки у формуванні вихідного струму IGBT, як і у будь-якого біполярного транзистора, беруть участь два типи носіїв заряду, щільність робочого струму, що досягається, у IGBT в 5…10 разів вище, ніж у високовольтних MOSFET. Відповідно для реалізації того ж рівня вихідного струму потрібні помітно менші за площею кристали.
Крім вартості приладів, це виражається і в меншій вхідній місткості, що вимагає і менших імпульсних струмів розгойдування від драйвера.
Проте …
Біполярний могутній транзистор →
