МОП-ТРАНЗІСТОРИ Vishay з виробничої лінії IR представлені на малюнку 1.
Мал. 1. Корпуси МОП-ТРАНЗІСТОРОВ Vishay з виробничої лінії International Rectifier
Структура HEXFET подразумеваєт організацію в одному кристалі тисяч паралельно-включених МОП-ТРАНЗІСТОРНИХ осередків, створюючих шестикутник. Таке рішення дозволило істотно понизити опір відкритого каналу RDS(on) і зробило можливою комутацію великих струмів. З погляду класифікації польових транзисторів HEXFET відносяться до польових транзисторів з індукованим каналом, тобто
Спадщина IR могутні МОП-ТРАНЗІСТОРИ HEXFET →