Archive for March, 2009


Історія транзисторів - Транзистор - Вікипедія

В даний час в аналоговій техніці домінують біполярні транзистори (БТ) (міжнародний термін - BJT, bipolar junction transistor). Іншою найважливішою галуззю електроніки є цифрова техніка (логіка, пам’ять, процесори, комп’ютери, цифровий зв′язок і т. п.), де, навпаки, біполярні транзистори майже повністю витиснені польовими.
044 227 6782, Киев, пр-т Московский 8 - Низкие цены мягкая мебель диваны кресла. Вся сучасна цифрова техніка побудована, в основному, на польових МОП (металл-оксид-напівпровідник) -транзисторах (МОПТ), як економічніших, в порівнянні з БТ, елементах. Іноді їх називають МДП (металл-диэлектрик-напівпровідник) - транзистори. Міжнародний термін - MOSFET (metal-oxide-semiconductor field effect transistor).
Транзистори виготовляються в рамках інтегральної технології на одному кремнієвому кристалі (чіпі) і складають елементарну «цеглинку» для побудови мікросхем пам’яті, процесора, логіки і т.п. Размери сучасних МОПТ складають від 90 до 32 нм. На одному сучасному чіпі (зазвичай розміром 1-2 смІ) розміщуються декілька (поки одиниці) мільярдів МОПТ.
Впродовж 60 років відбувається зменшення розмірів (мініатюризація) МОПТ і збільшення їх кількості на одному чіпі (ступінь інтеграції), найближчими роками очікується подальше збільшення ступеня інтеграції транзисторів …

Транзистор - Вікипедія →

Транзистори: загальна інформація - Про транзистор

Запобігання прямому зсуву переходу база-колектор за допомогою діода Шоттки.

складніший варіант - схема Бейкера. При досягненні напругою на колекторі транзистора напруги бази “зайвий″ базовий струм скидається через колекторний перехід, запобігаючи насиченню.

5.Схема обмеження насичення щодо низьковольтних ключів .
З датчиком струму бази.

З датчиком струму колектора.

6.Уменьшение часу включення/виключення транзистора шляхом застосування форсуючого RC ланцюжка.

7.Составной транзистор.
Схема дарлінгтона.

Схема Шиклаї.

Схеми Дарлінгтона і Шиклаї з додатковими транзисторами (потрібні для збільшення вхідного опору другого каскаду по змінному струму, і відповідно коефіцієнта передачі).

Те ж …

Про транзистор →

Транзистори: загальна інформація - Новий транзистор долає барєр потужності 1 квт

мал. 1).

Мал. 1. Зменшення кількості компонентів підсилювача при використанні рішень

Freescale Semiconductor

Для побудови підсилювача потужності на 2 квт замість трьох драйверів на 15 Вт і 8 підсилювачів на 300 Вт тепер досить використовувати всього лише три компоненти Freescale: один драйвер на 10 Вт і два підсилювачі на 1 квт. При цьому можна отримати посилення 50 дб замість 45 дб в стандартній схемі.
Як і решта пристроїв Freescale, виконаних по 50 V LDMOS-технології, нові транзистори мають вбудований захист від електростатичного розряду (ESD), що виключає необхідність спеціальних захисних заходів при їх монтажі, а також що дозволяє працювати з великим розкидом напруги затвора
(-6…+10 В), що необхідне для побудови підсилювачів високого класу. При робочій напрузі 50 В, що прикладається до транзистора, його входи і виходи мають високий імпеданс, що полегшує узгодження транзисторів в схемі підсилювача …

Новий транзистор долає барєр потужності 1 квт →

Транзистори: загальна інформація - Азбука транзисторної схемотехніки

Можливий варіант удосконалення показаний на рис.3.
Завдяки введенню германієвого діода або діода Шоттки можна у декілька разів зменшити номінал резистора R, а значить, і розсіювану на нім потужність.

Для захисту від зворотної напруги паралельно висновкам емітер-колектор зазвичай включають діод, як, наприклад, в складених транзисторах типа КТ825, КТ827.

Складений транзистор (рис.4) має підвищений вихідний опір і значно зменшений ефект Міллера завдяки каскадному включенню польового і біполярного транзисторів.
За рахунок повної розв′язки другого транзистора від входу і живленню стоку першого транзистора напругою, пропорційною вхідному, складений транзистор, зображений на рис.5, має ще вищі динамічні характеристики. Єдина умова реалізації такого транзистора - вища напруга відсічення другого транзистора. Вхідний транзистор можна замінити на біполярний.

Одна з особливостей транзисторного ключа при навантаженні, що змінюється, - зміна часу виключення транзистора. Чим більше насичення транзистора при мінімальному навантаженні, тим більше час виключення. Уникнути глибокого насичення можна шляхом запобігання прямому зсуву …

Азбука транзисторної схемотехніки →


Другий елемент позначення - буква, що визначає підклас (або групу) транзисторів. Для позначення підкласів використовується одна з двох букв: Т - для біполярних і П - для польових транзисторів.
Третій елемент - цифра, що визначає основні функціональні можливості транзистора (допустиме значення розсіюваної потужності і граничну або максимальну робочу частоту).
Для позначення найбільш характерних експлуатаційних ознак транзисторів застосовуються наступні цифри.
Для транзисторів малої потужності (максимальна потужність, що розсіюється транзистором, не більше 0,3 Вт):
1 - з граничною частотою коефіцієнта передачі струму або максимальною робочою частотою (далі граничною частотою) не більше 3 Мгц;
2 - з граничною частотою більше 3, але не більше 30 Мгц;
3 - з граничною частотою більше 30 Мгц.
Для транзисторів середньої потужності (максимальна потужність, що розсіюється транзистором, більше 0,3, але не більше 1,5 Вт):
4 - з граничною …

Класифікація біполярних і польових транзисторів →


В одній з таких статей, в якій автор достатньо аргументовано доводить перевагу лампи над транзистором за всіма показниками (правда, чомусь в ній ні словом не згаданий такий важливий показник звучання, як шум), приводиться цікаве пояснення привабливості лампового звучання на прикладі використання в сімдесятих класичних конденсаторних мікрофонів з ламповими передпідсилювачами.
Справа опиняється в тому, що ці мікрофони мають сигнал дуже високого рівня (до 1,5 В) і попередні підсилювачі вимушені практично постійно працювати з перевантаженням. При перевантаженні лампи по-перше відбувається природна компресія звуку, внаслідок чого він сприймається як “щільніший″. По-друге відбувається спотворення звуку, внаслідок чого він збагачується гармоніками.
У ламповій техніці розташування цих гармонік по гучності практично співпадає з обертоновим поряд, тобто додаються друга (октава), третя (квінта), четверта, п’ята і т.д. гармоніки, що суб’єктивно сприймається як приємне на слух, “музичне” звучання. Подібний принцип збагачення початкового сигналу гармоніками застосовується, наприклад, в такому приладі, як ексайтер.
При перевантаженні транзисторної техніки звук …

Лампа і транзистор →

1 2 3 4 5 6