Із-за каськодного включення транзисторів значно зменшений ефект Міллера.
Інша схема - за рахунок повної розв′язки другого транзистора від входу і живленню стоку першого транзистора напругою, пропорційною вхідному, складений транзистор має ще вищі динамічні характеристики (єдина умова - другий транзистор повинен мати вищу напругу відсічення). Вхідний транзистор можна замінити на біполярний.
4.Защита транзистора від глибокого насичення.
Запобігання прямому зсуву переходу база-колектор за допомогою діода Шоттки.
складніший варіант - схема Бейкера. При досягненні напругою на колекторі транзистора напруги бази “зайвий″ базовий струм скидається через колекторний перехід, запобігаючи насиченню.
5.Схема обмеження насичення щодо низьковольтних ключів .
З датчиком струму бази.
З датчиком струму колектора.
6.Уменьшение …
Про транзистор →