Прилади першого покоління демонстрували цілий ряд переваг перед існуючими аналогами, особливо при високій щільності струму у включеному стані.
Проте існували цілий ряд проблем, який поступово долався у міру вдосконалення технології збірки нових силових транзисторів.
Одним з таких завдань стала розробка методів регулювання часу життя неосновних носіїв, що кінець кінцем дозволило створити прилад другого покоління з покращуваними за рахунок оптимізації форми і тривалості залишкового струму частотними властивостями.
Каськодний силовий транзистор (мал. 1), структура якого детально обговорювалася в попередній публікації [1], в макетного виконання є силовою гібридною схемою, виконаною на кристалах унітрона і два МОП польових транзисторів. Всі елементи даного ключа напаяли на загальну ізолюючу підкладку, виконану з алюмооксидной кераміки, металізованою міддю.
З’єднання елементів виконані ультразвуковою зваркою за допомогою алюмінієвого дроту, приєднаного до контактних майданчиків відповідних елементів. Подібна схема розміщується в стандартних транзисторних корпусах типу ТЕ для дискретних приладів або в їх конструктивних аналогах - малопотужних і малогабаритних модулях.
Використовувалися два типи кристалів …

Порівняльний аналіз ефективності ключових силових транзисторів з польовим управлінням →