MDmesh MOSFET
STMicroelectronics розробила нову MOSFET-технологію, значно зменшуючу RDS ON (опір сток-істок у відкритому стані). Нова технологія названа MDmesh (Multiple Drain mesh), тому що вона заснована на численних вертикальних Р-структурах стоку. Окрім дуже низького RDS ON, нова вертикальна структура кристала забезпечує чудові dV/dt характеристики.
Малюнок 1. Структура кристала MDmesh MOSFET

Така структура кристала також забезпечує величину заряду затвора Qg на 40% нижче, ніж у традиційних MOSFET, що підвищує швидкість перемикання і знижує втрати потужності на перемикання. Низька величина заряду затвора Qg дає можливість використовувати менші і економічніші ланцюги затворів.
Температурний коефіцієнт опору крісталл-корпус Rjc не перевищує 1,7°С/W. Розмір кристала значно зменшився, що забезпечило чудові теплові характеристики. Для порівняння, 500-В STP12NM50 в корпусі ТЕ-220 з RDS ON = 0,35 Ом має кристал, що займає лише 60% загальній площі виробу.
Таке низьке RDS ON в стандартній технології MOSFET доступно …

Польові транзистори фірми STMicroelectronics →