Джерело E1 створює на єдиному p-n-переході зворотну напругу. Пряма напруга на перехід не подається, оскільки тоді вхідне сопроотівленіє транзистора буде дуже малим.
У вхідний ланцюг включено джерело підсилюваних коливань ГИК.
Розглянемо фізичні процеси в польовому транзисторі. При зміні вхідної напруги змінюється зворотна напруга на p-n-переході, внаслідок чого змінюється товщина замикаючого шару (на малюнку ця область обмежена штриховими лініями). Відповідно міняється площа поперечного перетину області, через яку проходить потік основних носіїв заряду (вихідний струм).
Ця область називається каналом. Електрод, з якого в канал витікають основні носії заряду, називають витоком (И). З каналу носії проходять до електроду, який називається стоком (С). Витік і стік аналогічні катоду і аноду лампи (або емітеру і колектору біполярного транзистора) відповідно.

Польові транзистори з переходом що управляє →